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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 1,2A; Idm: 7,6A; 2W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 1,2A; Idm: 7,6A; 2W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 1,2A; Idm: 7,6A; 2W
N. Articolo:
     5068-PMV213SN.215
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMV213SN,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23;TO236AB
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 1,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 575mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 7,6A
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