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Articolo
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -1,8A; Idm: -12A
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-PMV65XPER
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
PMV65XPER
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
NEXPERIA
Montaggio:
SMD
Corpo:
SOT23;TO236AB
Tensione drenaggio-fonte:
-20V
Corrente di drenaggio:
-1,8A
Resistenza nello stato di conduzione:
114mΩ
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori:
ESD protected gate
Carico della porta:
9nC
Genere di canale:
arricchito
Corrente di drain pulsata:
-12A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor a effetto campo
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