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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMB050N10NS2-R2
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PSMB050N10NS2_R2_00601
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 138W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 53nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 480A
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