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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolare; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMN012-100YLX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN012-100YLX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
Transistori
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 60A
Resistenza nello stato di conduzione: 33,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 238W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 118nC
Tecnologia: Trench
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 339A
Altri termini di ricerca: Transistore, fet di giunzione
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