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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 58A; Idm: 330A; 238W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN013-100YSEX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN013-100YSEX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 58A
Resistenza nello stato di conduzione: 36mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 238W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 75nC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 330A
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