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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 80V; 34A; 74W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 80V; 34A; 74W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 80V; 34A; 74W
N. Articolo:
     5068-PSMN026-80YS.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN026-80YS,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 80V
Corrente di drenaggio: 34A
Resistenza nello stato di conduzione: 66mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 74W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 20nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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