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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 100A; Idm: 1019A; 166W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMN1R4-30YLDX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN1R4-30YLDX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,44mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 166W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 54,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1019A
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