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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN2R0-30YLE.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN2R0-30YLE,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 238W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 87nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1015A
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