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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolare; 60V; 120A; Idm: 1135A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMN2R0-60PSRQ
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN2R0-60PSRQ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
Transistori
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB;SOT78
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 338W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 192nC
Tecnologia: NextPowerS3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1135A
Altri termini di ricerca: Transistore, fet di giunzione
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