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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolare; 30V; 70A; Idm: 580A


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN2R4-30MLDX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN2R4-30MLDX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 70A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 91W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: logic level
Carico della porta: 51nC
Tecnologia: NextPowerS3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 580A
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