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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMN3R0-60BS.118
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN3R0-60BS,118
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 6,21mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 306W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 130nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 824A
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