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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
N. Articolo:
     5068-PSMN4R6-60PS.127
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN4R6-60PS,127
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB;SOT78
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,05mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 211W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 70,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 565A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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