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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 44A; Idm: 177A; 34W


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N. Articolo:
     5068-PSMN9R5-30YLC.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN9R5-30YLC,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 44A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 34W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 177A
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