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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMQC040N10NS2-R2
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PSMQC040N10NS2_R2_00601
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 122A
Resistenza nello stato di conduzione: 6,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 53nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 488A
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