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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -40V; -5A; Idm: -20A; 1,5W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-QH8JB5TCR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QH8JB5TCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT8
Tensione drenaggio-fonte: -40V
Corrente di drenaggio: -5A
Resistenza nello stato di conduzione: 51mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 17,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -20A
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