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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-R8003KNXC7G
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R8003KNXC7G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 3A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,8Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 36W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 11,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 9A
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