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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-R8009KNXC7G
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R8009KNXC7G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 59W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 27nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 27A
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