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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-RD3P100SNTL1
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RD3P100SNTL1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 10A
Resistenza nello stato di conduzione: 147mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 20W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 18nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 20A
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