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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RF4E080GNTR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RF4E080GNTR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: DFN2020-8S
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 8A
Resistenza nello stato di conduzione: 17,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 5,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 32A
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