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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RGT50NS65DGTL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGT50NS65DGTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: LPDS
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 75A
Tempo d'avvio: 65ns
Tempo d'interruzione: 210ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 97W
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 49nC
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