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Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RGTVX6TS65GC11
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGTVX6TS65GC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 80A
Corrente del collettore nel impulso: 320A
Tempo d'avvio: 83ns
Tempo d'interruzione: 298ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 202W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 171nC
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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