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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RQ3E100BNTB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ3E100BNTB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: HSMT8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 21A
Resistenza nello stato di conduzione: 15,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 22nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40A
Riepilogo condizioni1
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