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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 24A; Idm: 44A; 15W; HSMT8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RQ3E110AJTB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ3E110AJTB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: HSMT8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 24A
Resistenza nello stato di conduzione: 16,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 13,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 44A
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