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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 27A; Idm: 40A; 15W; HSMT8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RQ3G100GNTB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ3G100GNTB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: HSMT8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 27A
Resistenza nello stato di conduzione: 18,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 8,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40A
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Tipo
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