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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,5A; Idm: 12A; 1W; TSMT3


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RQ5E035BNTCL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ5E035BNTCL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT3
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 56mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 12A
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