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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -3,5A; Idm: -12A; 1,25W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-RQ6E035ATTCR
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RQ6E035ATTCR
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio:
SMD
Corpo:
TSMT6
Tensione drenaggio-fonte:
-30V
Corrente di drenaggio:
-3,5A
Resistenza nello stato di conduzione:
70mΩ
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Potenza dissipata:
1,25W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
10nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
-12A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor a effetto campo
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Simile
MOSFET ROHM, canale P, 3,5 A, SOT-457T, Montaggio superficiale
ROHM Semiconductor
RSQ035P03HZGTR
a partire da € 0,215*
Simile
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -3,5A; Idm: -14A; 1,25W
ROHM Semiconductor
RSQ035P03FRATR
a partire da € 0,196*
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