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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -5A; Idm: -18A; 1,25W; TSMT6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RQ6E050ATTCR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RQ6E050ATTCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT6
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -5A
Resistenza nello stato di conduzione: 38mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 20,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -18A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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