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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RRH100P03GZETB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RRH100P03GZETB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 12,6mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 68nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -40A
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