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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -7,5A; Idm: -30A; 2W; SOP8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RS3E075ATTB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RS3E075ATTB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -7,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 31mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 25nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -30A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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