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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RSJ400N10TL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSJ400N10TL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 30mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 50W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 90nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 80A
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