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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RSR010N10FHATL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSR010N10FHATL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT3
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 1A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,58Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 4A
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