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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-RSR020N06HZGTL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSR020N06HZGTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT3
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,21Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 2,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 8A
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Stato magazzino: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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