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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RSS090N03FRATB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSS090N03FRATB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 24mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 11nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 36A
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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