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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 350mW; SST3


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RYC002N05T316
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RYC002N05T316
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SST3
Tensione drenaggio-fonte: 50V
Corrente di drenaggio: 0,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 9Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
Riepilogo condizioni1
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