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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 55A; Idm: 160A; 320,5W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-S2M0040120K-1-SMC
Produttore:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N. Art. Produtt.:
     S2M0040120K-1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SMC DIODE SOLUTIONS
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 55A
Resistenza nello stato di conduzione: 40mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 320,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Carico della porta: 118nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...20V
Corrente di drain pulsata: 160A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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