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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 22A; Idm: 55A; 165W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SCT2160KEGC11
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT2160KEGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 22A
Resistenza nello stato di conduzione: 208mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 165W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 62nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -6...22V
Corrente di drain pulsata: 55A
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Prezzi: Magazzino 5068
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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