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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,7kV; 3,7A; Idm: 9,2A; 35W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SCT2H12NZGC11
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT2H12NZGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO3PFM
Tensione drenaggio-fonte: 1,7kV
Corrente di drenaggio: 3,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 14nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -6...22V
Corrente di drain pulsata: 9,2A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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