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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SH8K52GZETB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8K52GZETB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 3A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,19Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 8,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 12A
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