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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 0,63A; Idm: 2A; 0,15W; SC75A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SI1012CR-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1012CR-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SC75A
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 0,63A
Resistenza nello stato di conduzione: 396mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: 2A
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