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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; Idm: -10A; 0,45W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; Idm: -10A; 0,45W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; Idm: -10A; 0,45W
N. Articolo:
     5068-SI2301BDS-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2301BDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -2,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,45W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 10nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -10A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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