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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolare; -30V; -2,7A; Idm: -12A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolare; -30V; -2,7A; Idm: -12A
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolare; -30V; -2,7A; Idm: -12A
N. Articolo:
     5068-SI2307-TP
Produttore:
     Micro Commercial Components
N. Art. Produtt.:
     SI2307-TP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -2,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 138mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 4,1nC
Tecnologia: Trench
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -12A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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