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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,3A; 0,45W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,3A; 0,45W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,3A; 0,45W; SOT23
N. Articolo:
     5068-SI2316DS-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2316DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,45W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 4,3nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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