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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -20V; -5,9A; Idm: -20A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SI2365EDS-T1-BE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2365EDS-T1-BE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -5,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 67,5mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 36nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -20A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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