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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8
N. Articolo:
     5068-SI4056DY-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4056DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 11,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 23mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 29,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 70A
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