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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8
N. Articolo:
     5068-SI4431BDY-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4431BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -5,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 30mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,9W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 20nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -30A
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