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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -20V; -18,6A; 5W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SI4463CDY-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4463CDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -18,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 14mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 162nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -60A
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Modulo Driver gate IR2117SPBF, CMOS, LSTTL, 500 mA, 20V, SOIC 8N, 8-Pin
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