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Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; -20V; -6,5A; 2W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SI4963BDY-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI4963BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -6,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 21nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -40A
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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