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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -1,2A; Idm: -7,6A; 830mW


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -1,2A; Idm: -7,6A; 830mW
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -1,2A; Idm: -7,6A; 830mW
N. Articolo:
     5068-SI5618-TP
Produttore:
     Micro Commercial Components
N. Art. Produtt.:
     SI5618-TP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -1,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,2Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 9,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -7,6A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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