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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIA414DJ-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA414DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 8V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 41mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 19W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 32nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±5V
Corrente di drain pulsata: 40A
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