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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 40V; 100A; Idm: 400A


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N. Articolo:
     5068-SIDR638DP-T1-RE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIDR638DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,16mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 204nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 400A
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